IRF3711PBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF3711 MOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 9,5mOhm; 100A; 68W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF3711PBF; SP001561720;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRF3711PBF-ML RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6532 1,2602 1,0434 0,9147 0,8695
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 9,5mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 68W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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